半導(dǎo)體分立器件AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)

簡(jiǎn)要描述：

廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體分立器件AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮（Autoclave）試驗(yàn)服務(wù)，設(shè)備能力*覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α?/p>

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更新日期：2025-08-30

價(jià)格：

詳細(xì)介紹

品牌	廣電計(jì)量	檢測(cè)項(xiàng)目	其他

半導(dǎo)體分立器件AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)：AEC-Q101對(duì)各類半導(dǎo)體分立器件的車用可靠性要求進(jìn)行了梳理。半導(dǎo)體分立器件AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)不僅是對(duì)元器件可靠性的國(guó)際通用報(bào)告，更是打開(kāi)車載供應(yīng)鏈的敲門(mén)磚。廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮（Autoclave）試驗(yàn)服務(wù)，設(shè)備能力*覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α?/span>

隨著技術(shù)的進(jìn)步，各類半導(dǎo)體功率器件開(kāi)始由實(shí)驗(yàn)室階段走向商業(yè)應(yīng)用，尤其以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)化的腳步加快。但車用分立器件市場(chǎng)均被國(guó)外*所把控，國(guó)產(chǎn)器件很難分一杯羹，主要的原因之一即是可靠性得不到認(rèn)可。

測(cè)試周期：

2-3個(gè)月，提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)

產(chǎn)品范圍：

二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導(dǎo)體分立器件

測(cè)試項(xiàng)目：

序號(hào)	測(cè)試項(xiàng)目	縮寫(xiě)	樣品數(shù)/批	批數(shù)	測(cè)試方法

1	Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test	TEST	所有應(yīng)力試驗(yàn)前后均進(jìn)行測(cè)試		用戶規(guī)范或供應(yīng)商的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2	Pre-conditioning	PC	SMD產(chǎn)品在7、8、9和10試驗(yàn)前預(yù)處理		JESD22-A113
3	External Visual	EV	每項(xiàng)試驗(yàn)前后均進(jìn)行測(cè)試		JESD22-B101
4	Parametric Verification	PV	25	3 Note A	用戶規(guī)范
5	High Temperature Reverse Bias	HTRB	77	3 Note B	MIL-STD-750-1 M1038 Method A

5a	AC blocking voltage	ACBV	77	3 Note B	MIL-STD-750-1 M1040 Test Condition A

5b	High Temperature Forward Bias	HTFB	77	3 Note B	JESD22 A-108

5c	Steady State Operational	SSOP	77	3 Note B	MIL-STD-750-1 M1038 Condition B（Zeners）

6	High Temperature Gate Bias	HTGB	77	3 Note B	JESD22 A-108

7	Temperature Cycling	TC	77	3 Note B	JESD22 A-104 Appendix 6


7a	Temperature Cycling Hot Test	TCHT	77	3 Note B	JESD22 A-104 Appendix 6


7a alt	TC Delamination Test	TCDT	77	3 Note B	JESD22 A-104 Appendix 6 J-STD-035



7b	Wire Bond Integrity	WBI	5	3 Note B	MIL-STD-750 Method 2037

8	Unbiased Highly Accelerated Stress Test	UHAST	77	3 Note B	JESD22 A-118


8 alt	Autoclave	AC	77	3 Note B	JESD22 A-102

9	Highly Accelerated Stress Test	HAST	77	3 Note B	JESD22 A-110

9 alt	High Humidity High Temp. Reverse Bias	H3TRB	77	3 Note B	JESD22 A-101


10	Intermittent Operational Life	IOL	77	3 Note B	MIL-STD-750 Method 1037

10 alt	Power and Temperature Cycle	PTC	77	3 Note B	JESD22 A-105

11	ESD Characterization	ESD	30 HBM	1	AEC-Q101-001
			30 CDM	1	AEC-Q101-005
12	Destructive Physical Analysis	DPA	2	1 NoteB	AEC-Q101-004 Section 4

13	Physical Dimension	PD	30	1	JESD22 B-100

14	Terminal Strength	TS	30	1	MIL-STD-750 Method 2036

15	Resistance to Solvents	RTS	30	1	JESD22 B-107

16	Constant Acceleration	CA	30	1	MIL-STD-750 Method 2006

17	Vibration Variable Frequency	VVF	項(xiàng)目16至19是密封包裝的順序測(cè)試。（請(qǐng)參閱圖例頁(yè)面上的注釋H.）		JEDEC JESD22-B103

18	Mechanical Shock	MS			JEDEC JESD22-B104

19	Hermeticity	HER			JESD22-A109

20	Resistance to Solder Heat	RSH	30	1	JESD22 A-111 (SMD) B-106 (PTH)


21	Solderability	SD	10	1 Note B	J-STD-002 JESD22B102

22	Thermal Resistance	TR	10	1	JESD24-3,24-4,26-6視情況而定

23	Wire Bond Strength	WBS	最少5個(gè)器件的10條焊線	1	MIL-STD-750 Method 2037

24	Bond Shear	BS	最少5個(gè)器件的10條焊線	1	AEC-Q101-003
25	Die Shear	DS	5	1	MIL-STD-750
					Method 2017
26	Unclamped Inductive Switching	UIS	5	1	AEC-Q101-004 Section 2


27	Dielectric Integrity	DI	5	1	AEC-Q101-004 Section 3

28	Short Circuit Reliability Characterization	SCR	10	3 Note B	AEC-Q101-006


29	Lead Free	LF			AEC-Q005